Si是強鐵素體形成元素，其鉻當(dāng)量為1.5，在一般不銹鋼排泥閥閥體中為常存雜質(zhì)元素。大量研究表明Si對不銹鋼排泥閥閥體的耐氯離子腐蝕性能是有利的，隨著不銹鋼中硅含量的增加，鋼在含氯離子的溶液中的點蝕電位向正方向移動。

Si可提高耐蝕性能是因為在存在氧化劑(如強酸)的介質(zhì)中，Si會在不銹鋼排泥閥閥體表面層富集提高了不銹鋼表面的鈍化能力，且實驗觀測到鈍化膜層中Cr和Si的分布幾乎是同步的，說明Si的偏聚促進(jìn)了Cr的偏聚和鈍化膜的形成。有文獻(xiàn)報道由于Si在不銹鋼排泥閥閥體表面富集改善了氧化膜的形態(tài)，提高了含Cu AISI 304不銹鋼在50℃以上的硫酸溶液中的表面自鈍化能力，但2%的Si會加強晶界腐蝕，隨著基體內(nèi)硅含量增加(2%-3%) ，晶界腐蝕減弱，Hermas將其原因歸結(jié)為晶界和晶粒表面的鈍化膜內(nèi)的Si含量不同導(dǎo)致鈍化膜的保護(hù)能力不同。也有文獻(xiàn)報道在一定的溫度區(qū)間( 600~1000℃)，硅增大了碳的活性，發(fā)現(xiàn)硅含量較大時，有助于碳化鉻的沉淀，促進(jìn)了貧鉻區(qū)的形成。這也可能是硅導(dǎo)致晶界腐蝕的原因。